[发明专利]一种晶圆加工治具有效
申请号: | 201210015670.1 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103219259B | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 魏志凌;宁军;蔡猛 | 申请(专利权)人: | 昆山思拓机器有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215347 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及晶圆加工技术领域,具体涉及一种加工治具。一种wafer晶圆加工治具,包括承载平台,承载平台上设有吸附机构,吸附机构包括设置在承载平台中部的复数个调节吸附孔和设置在承载平台周边的复数个固定吸附孔。复数个固定吸附孔呈圆环形设置在承载平台上,复数个调节吸附孔设置在固定吸附孔内侧。复数个固定吸附孔通过气体通道连接一固定吸气装置。复数个调节吸附孔通过气体通道连接一调节吸气装置,通过调节吸气装置调节吸附孔的吸附气压。本发明解决了晶圆在加工和打样阶段装夹固定问题,保证了晶圆加工时中间区域和外围的状态一致,使得加工质量一致。 | ||
搜索关键词: | 一种 wafer 加工 | ||
【主权项】:
一种晶圆加工治具,包括一承载平台,其特征在于,所述承载平台上设有一吸附机构,所述吸附机构包括设置在所述承载平台中部的复数个调节吸附孔和设置在所述承载平台周边的复数个固定吸附孔;复数个所述固定吸附孔呈圆环形设置在所述承载平台上,复数个所述调节吸附孔设置在所述固定吸附孔内侧;复数个所述固定吸附孔通过气体通道连接一固定吸气装置;复数个所述调节吸附孔通过气体通道连接一调节吸气装置,通过调节吸气装置调节吸附孔的吸附气压;所述承载平台表面还设有一切割凹槽机构,所述切割凹槽机构包括一大圆凹槽、复数个小圆凹槽,所述大圆凹槽的内径大于所述小圆凹槽的外径,所述小圆凹槽均匀设置在所述承载平台中部,所述大圆凹槽设置在所述小圆凹槽周边。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造