[发明专利]一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法

摘要

本发明公开了一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法，所述方法包括：步骤1，在红外焦平面探测器芯片上涂覆设定厚度的光刻胶；步骤2，对涂覆的光刻胶进行全面曝光处理；步骤3，在曝光后的光刻胶上继续涂覆设定厚度的光刻胶；步骤4，利用光刻机对涂覆的光刻胶进行光刻处理；步骤5，在光刻处理后的红外焦平面探测器芯片上沉积铟后剥离光刻胶，得到生长的铟柱。本发明所述方法利用两层光刻胶进行铟柱的剥离，使得铟柱底部没有残渣、形貌一致性好，进而有效提高了探测器芯片和读出电路倒装焊接的连通率，以及有效降低了探测器的盲元率。

主权项

一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法，其特征在于，包括：步骤1，在红外焦平面探测器芯片上沉积光刻胶；步骤2，对沉积的光刻胶进行全面曝光处理；步骤3，在曝光后的光刻胶上继续沉积光刻胶；步骤4，利用光刻机对沉积的光刻胶进行光刻处理；步骤5，在光刻处理后的芯片上沉积铟后剥离光刻胶，得到生长的铟柱。