[发明专利]一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法

权利要求书

1.一种大规模红外焦平面探测器铟柱生长方法，其特征在于，包括：

步骤1，在红外焦平面探测器芯片上沉积光刻胶；

步骤2，对沉积的光刻胶进行全面曝光处理；

步骤3，在曝光后的光刻胶上继续沉积光刻胶；

步骤4，利用光刻机对沉积的光刻胶进行光刻处理；

步骤5，在光刻处理后的芯片上沉积铟后剥离光刻胶，得到生长的铟柱。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中对沉积的光刻胶进行全面曝光处理的方式包括：

将沉积光刻胶的红外焦平面探测器芯片放置在光刻机上，利用光刻机在不安装光刻板的条件下对沉积的光刻胶进行曝光处理。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述曝光处理的曝光时间为15～30s。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤1和步骤3中沉积的光刻胶的厚度为10～20微米。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤1和步骤3中，采用匀胶机沉积所述光刻胶。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤5中，采用热蒸发的方式沉积铟。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤5中，剥离光刻胶的方式包括：将沉积铟后的芯片浸泡在丙酮溶液中，并在浸泡特定时间后，进行超声处理。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述浸泡特定时间为1～2小时。