[发明专利]蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法无效
| 申请号： | 201210010687.8 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103205675A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 魏志凌;高小平;郑庆靓 | 申请（专利权）人： | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23F1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，主要解决现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于掩模板开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，本发明通过采用一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤：从掩模板材料的ITO面蚀刻形成ITO面狭长沟槽状开口(1)；从掩模板的蒸镀面刻蚀形成狭长沟槽开口(2)，并使狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽状开口(1)中心重合，且狭长沟槽开口(2)中心对称；且开口孔壁具有一定凹弧度，形成了30～50°蒸镀锥角；通过蚀刻工艺，制得具有ITO面小尺寸狭长沟槽状开口(1)与蒸镀面大尺寸狭长沟槽开口(2)相贯通形成葫芦状开口的掩模板的技术方案，较好地解决了该问题，可用于有机发光二级管的工业生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸镀用 狭长 沟槽 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤：a) 选取厚度为15～200μm金属或合金薄板作为掩模板材料，掩模板材料的一个面为和ITO半导体玻璃接触的ITO面，另一个面作为蒸镀面；b)从掩模板材料的ITO面蚀刻形成狭长沟槽状开口(1)；c) 从掩模板的蒸镀面刻蚀形成狭长沟槽开口(2)，并使狭长沟槽开口(2) 与ITO面狭长沟槽状开口(1)中心重合；且开口孔壁具有30～50°蒸镀锥角；d) 通过对ITO面和蒸镀面蚀刻时间的控制，得到所需要的蒸镀面狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽开口(1)的开口深度；ITO面狭长沟槽状开口(1)深度为5～50μm，横向尺寸为50～70μm，ITO面狭长沟槽状开口(1)的尺寸精度控制在±5μm；狭长沟槽开口(2)深度为10～150μm，横向尺寸为80～140μm；e) 通过蚀刻，制得具有ITO面小尺寸ITO面狭长沟槽状开口(1)与蒸镀面大尺寸狭长沟槽开口(2)相贯通形成葫芦状狭长沟槽的掩模板；其中，所述掩模板形状为四边形，ITO面狭长沟槽状开口(1) 横向和纵向之间均具有实桥；狭长沟槽开口(2)横向之间具有实桥；所述掩模板上在ITO面上的狭长沟槽状开口（1）尺寸小于在蒸镀面上的狭长沟槽开口（2）尺寸。
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