[发明专利]蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法

权利要求书

1.一种蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，采用双面蚀刻工艺，包括如下几个步骤：

a) 选取厚度为15～200μm金属或合金薄板作为掩模板材料，掩模板材料的一个面为和ITO半导体玻璃接触的ITO面，另一个面作为蒸镀面；

b)从掩模板材料的ITO面蚀刻形成狭长沟槽状开口(1)；

c) 从掩模板的蒸镀面刻蚀形成狭长沟槽开口(2)，并使狭长沟槽开口(2) 与ITO面狭长沟槽状开口(1)中心重合；且开口孔壁具有30～50°蒸镀锥角；

d) 通过对ITO面和蒸镀面蚀刻时间的控制，得到所需要的蒸镀面狭长沟槽开口(2)与ITO面狭长沟槽开口(1)的开口深度；ITO面狭长沟槽状开口(1)深度为5～50μm，横向尺寸为50～70μm，ITO面狭长沟槽状开口(1)的尺寸精度控制在±5μm；狭长沟槽开口(2)深度为10～150μm，横向尺寸为80～140μm；

e) 通过蚀刻，制得具有ITO面小尺寸ITO面狭长沟槽状开口(1)与蒸镀面大尺寸狭长沟槽开口(2)相贯通形成葫芦状狭长沟槽的掩模板；

其中，所述掩模板形状为四边形，ITO面狭长沟槽状开口(1) 横向和纵向之间均具有实桥；狭长沟槽开口(2)横向之间具有实桥；所述掩模板上在ITO面上的狭长沟槽状开口（1）尺寸小于在蒸镀面上的狭长沟槽开口（2）尺寸。

2.根据权利要求1所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于所述掩模板为矩形，厚度为10～150μm。

3.根据权利要求1所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于槽状开口在掩模板的厚度方向上垂直剖面图为葫芦状，ITO面槽状开口和蒸镀面的槽状开口均具有倒锥角，ITO面开口的倒锥角的角度小于蒸镀面的槽状开口的倒锥角的角度；蒸镀面狭长沟槽开口的锥角在30～50°。

4.根据权利要求1所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于所述的ITO面的横向尺寸精度控制在±5μm。

5.根据权利要求3所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于ITO面的倒锥角开口的垂直厚度小于等于蒸镀面锥角开口的垂直厚度。

6.根据权利要求1所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种；掩模板厚度为10～100μm。

7.根据权利要求3所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于ITO面的倒锥角开口的垂直深度在5～25μm。

8.根据权利要求1所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于蒸镀面狭长沟槽开口侧壁为光滑锥壁。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管的蒸镀方法，其特征在于ITO面狭长沟槽状开口侧壁为光滑倒锥壁，锥角为0-8°。

10.根据权利要求1所述的蒸镀用狭长沟槽掩模板的制备方法，其特征在于所述掩模板使用时，ITO面与蒸镀基板ITO玻璃紧密贴紧，有机材料通过蒸镀面面槽状开口和ITO面狭长沟槽状开口蒸镀到ITO玻璃基板上。