[发明专利]与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构及其制法有效
| 申请号： | 201210008147.6 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN103208519A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 石晶;刘冬华;段文婷;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构及其制法，该结构包括：5伏CMOS工艺兼容形成的场氧区、多晶硅栅极、栅氧化层、隔离侧墙和源漏，其中，还包括：由CMOS工艺中的P阱构成的P型本底区，由CMOS工艺中的N阱构成的N型漂移区；其制法包括：1)P阱作为P型本底区，N阱作为N漂移区；2)控制P型本底区和N漂移区的距离；3)缩小积累区长度至-0.2～0.1μm之间；4)按5伏CMOS工艺，完成场氧区、多晶硅栅、栅氧化层、隔离侧墙、源漏和电极连接的制作。本发明使击穿电压达到25伏以上，并且可满足开关器件和模拟器件的使用特性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 兼容 nldmos 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构，包括：5伏CMOS工艺兼容形成的场氧区、多晶硅栅极、栅氧化层、隔离侧墙和源漏，其特征在于，还包括：由CMOS工艺中的P阱构成的P型本底区，由CMOS工艺中的N阱构成的N型漂移区；其中，所述P型本底区和N型漂移区，位于P型衬底内；源漏位于P型本底区和N型漂移区内；栅氧化层位于P型衬底的上表面；多晶硅栅极位于栅氧化层之上；隔离侧墙与多晶硅栅极相邻；场氧区位于N型漂移区之上，且场氧区与多晶硅栅极有重叠。
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