[发明专利]与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构及其制法

权利要求书

1.一种与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构，包括：5伏CMOS工艺兼容形成的场氧区、多晶硅栅极、栅氧化层、隔离侧墙和源漏，其特征在于，还包括：由CMOS工艺中的P阱构成的P型本底区，由CMOS工艺中的N阱构成的N型漂移区；

其中，所述P型本底区和N型漂移区，位于P型衬底内；源漏位于P型本底区和N型漂移区内；栅氧化层位于P型衬底的上表面；多晶硅栅极位于栅氧化层之上；隔离侧墙与多晶硅栅极相邻；场氧区位于N型漂移区之上，且场氧区与多晶硅栅极有重叠。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述场氧区与多晶硅栅极的重叠部分的长度范围为0.1～3μm。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述P型本底区和N型漂移区之间的距离为0.5～2μm。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述NLDMOS结构中，其积累区长度为-0.2～0.1μm。

5.如权利要求1所述的与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构的制作方法，其特征在于，包括：

(1)采用P阱作为P型本底区，N阱作为N漂移区；

(2)控制NLDMOS中的P型本底区和N漂移区的距离为0.5～2μm；

(3)缩小积累区长度至-0.2～0.1μm之间；

(4)按5伏CMOS工艺，完成场氧区、多晶硅栅、栅氧化层、隔离侧墙、源漏和电极连接的制作。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法的步骤，包括：

1)利用有源区光刻，打开场氧区域，并在P型衬底上刻蚀场氧区；

2)在P型衬底上进行局部氧化，形成场氧区；

3)光刻打开阱注入区域，向P型衬底分别注入P型杂质离子和N型杂质离子形成P阱和N阱，其中，N阱位于场氧区下方，且P阱作为NLDMOS的本底区，N阱作为NLDMOS的漂移区，N阱和P阱在NLDMOS区域间隔为0.5～2μm，积累区长度大小为-0.2～0.1μm；

4)在P型衬底上，通过热氧化方法，生长115～160埃的栅氧化层，并淀积1000～3000埃的多晶硅，然后进行多晶硅栅刻蚀，形成NLDMOS的多晶硅栅极；

5)淀积一层2500～3500埃的二氧化硅，干法刻蚀之后，形成与多晶硅栅极相邻的隔离侧墙；

6)在隔离侧墙形成后，P型本底区和N型漂移区内进行源漏离子注入，分别形成N型源漏；

7)采用与5伏CMOS工艺一致的工艺，进行电极连接后，完成NLDMOS的制作。