[发明专利]一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210006512.X | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102517632A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李爱东;黄柳英;刘晓杰;付盈盈;吴迪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/22;C23C16/40 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 mocvd 制备 外延 gd sub la 介质 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种采用MOCVD制备外延Gd2‑xLaxO3栅介质薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1）对（100）Si衬底进行清洗；2）将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在（100）Si衬底上沉积Gd2‑xLaxO3金属氧化物薄膜，3）将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。
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