[发明专利]一种带隙可调的二氧化钛/氮化钛复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210006431.X | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102534531A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张政军;谢拯 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体能带工程领域的带隙可调的二氧化钛/氮化钛复合薄膜制备的一种方法。该方法采用射频磁控溅射的方法在基底上沉积氮化钛薄膜，将这种薄膜在空气下不同温度和时间下退火处理，可以得到不同光学带隙的复合薄膜。复合薄膜在特定退火温度和时间处理过程表现出了良好的带隙可控调整特性，该制备方法简单，快速，成本低，可控性较强，在表面自清洁材料、可见光条件下催化分解水制备氢气和降解有害有机物的能源和环境领域有着良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 氧化 氮化 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带隙可调的二氧化钛/氮化钛复合薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：a.用射频磁控溅射法在基片上沉积氮化钛薄膜；b.将制备好的氮化钛薄膜在空气条件下，在473K～973K退火10min～180min，得到二氧化钛/氮化钛复合薄膜。
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