[发明专利]一种带隙可调的二氧化钛/氮化钛复合薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210006431.X 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN102534531A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 张政军;谢拯 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 黄家俊
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 可调 氧化 氮化 复合 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种带隙可调的二氧化钛/氮化钛复合薄膜的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:

a.用射频磁控溅射法在基片上沉积氮化钛薄膜;

b.将制备好的氮化钛薄膜在空气条件下,在473K~973K退火10min~180min,得到二氧化钛/氮化钛复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤a的具体步骤如下:

(1)对硅基底或石英基底进行预处理;

(2)将预处理过的基底固定在磁控溅射镀膜机的样品台上;

(3)采用氮化钛为靶材,将磁控溅射镀膜机腔室抽真空至压强为6×10-4Pa以下;

(4)通入氩气和氮气,保持工作气压0.8~4Pa;

(5)在样品台的基底上生长200~1000nm厚的氮化钛薄膜。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:退火温度为623K。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤(3)中压强为(2~6)×10-4Pa。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤(5)中样品台静止或以0.1~0.6rpm的速率旋转。

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:溅射前要调整靶材与样品台的角度,使二者正对,靶材和样品台距离保持6~15cm。

7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤(5)中溅射时样品台的温度为273~373K。

8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤(4)中氮气的体积分数为3~20%。

9.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤(1)所述预处理的方法为:用丙酮、酒精和去离子水依次超声清洗并晾干。

10.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤(5)中氮化钛薄膜的厚度为800nm。

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