[发明专利]一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法无效
| 申请号： | 201210004720.6 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102530917A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;张艳丽;侯鹏翔;王兆钰;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术，特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备，阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石墨、硅粉蒸发，碳原子向阴极沉积，并通过硅团簇的掺入等原因，在阴极处沉积得到尖锐端头碳纳米管。这种结构具有纳米量级的尖端及数十纳米到数百纳米量级的底座，这种特殊的形貌特征及电弧法所赋予的高结晶度的结构特征，使其作为电子场发射体时，显示出优异的场发射性能，作为单根电子源场发射体时，场发射稳定性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尖锐 端头 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，采用电弧放电法直流电弧放电的方式，阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极；阳极原料中，硅粉粒度直径为30nm～500目，硅加入的重量百分比为2wt.％～20wt.％；缓冲气体为氢气或氦气，缓冲气体压力为20KPa～100KPa，直流电流10A～300A；起弧放电后，石墨、硅粉组成的原料共蒸发，部分碳原子向阴极沉积，与此同时，硅团簇掺入其中，最终于阴极处形成尖锐端头碳纳米管结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210004720.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
