[发明专利]非易失闪存擦除异常存储块修复方法和装置有效

专利信息
申请号: 201210004631.1 申请日: 2012-01-09
公开(公告)号: CN102609334A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 周涛 申请(专利权)人: 晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市南山区高新*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法,还提供了相应的装置。本发明通过在读取NAND Flash中的数据时,依次对存储块中需要读取的数据所在的页面的比特数据进行扫描,然后判断该页面是否为擦除异常页面,如果为擦除异常页面,则将该页面中比特数据中不为1的比特置1,然后对该存储块进行重新擦除操作;确保在NAND Flash擦除失败时,甚至在遇到突然断电的情况下,也不会有异常数据出现,系统依然能够正常工作,从而提升了系统的可靠性。
搜索关键词: 失闪 擦除 异常 存储 修复 方法 装置
【主权项】:
一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法,其特征在于,包括:在读取非易失闪存中的数据时,扫描待读取的存储块中需要读取的数据所在页面的比特数据;判断所述页面是否为擦除异常页面;如果所述页面为擦除异常页面,则将所述页面中不为1的比特置1;以及擦除所述待读取的存储块。
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