[发明专利]非易失闪存擦除异常存储块修复方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及计算机领域，特别是涉及一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法和装置。

背景技术

非易失闪存(NAND Flash)以其容量大、访问速度快以及单位容量的成本低廉等特点，在嵌入式领域越来越广泛的被用作存放数据的载体。

虽然NAND Flash有上述优势，但是也有它固有的缺陷，比如可靠性相对较差就是NAND Flash最突出的固有缺陷。要确保用户数据的完整性，对于NAND Flash硬件上的不足，只能通过软件来弥补。对于NAND Flash可靠性相对较差的问题，一般来说，坏块是最突出的，也是最受重视的。

其实，NAND Flash的擦除、写和读同样不可靠，也有出错的可能，但是由于擦、写和读出错的概率较小，往往会被忽略。其中，读和写如果出错，由于一般有纠错码(ECC，Error Correcting Code)的保护，数据的完整性并不会被破坏。一个NAND Flash通常可以划分为一个一个的存储块(block)，每个块可以进一步划分为若干个页面(page)，读和写的操作单位就是page；每个page又可以分为主(main)区域和备用(spare)区域，main区域较大，用于存放用户数据，spare区域较小，一般用来存放ECC校验码，而通常只有在main区域中保存有用户数据的page，才会计算ECC校验码并保存在spare区域。

写操作的实质是将待写块中为1的比特置为0，而擦除操作则相反，是将待擦除块中为0的比特置为1，对于擦除后的空白page，是不会计算ECC校验码的，spare区域保持所有比特为1的状态。

所以，擦除操作由于没有ECC校验码的保护措施，如果操作出错，或者再擦除的过程中碰到断电的情况，那么在系统重新开机后如果读到上次擦除出错的相关数据，往往会出现一些莫名其妙的情况，从而导致用户体验度降低，并且，如果出现一些严重的后果，比如死机、系统瘫痪等，这将会是灾难性的。所以，对于NAND Flash的擦除操作的可靠性的探索是非常有必要的。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种非易失闪存擦除异常块修复方法以及相应的装置，能够对擦除异常块进行扫描和修复，以防止在擦除存储块的过程中突然出现断电的情况导致的存储数据错误。

一种非易失闪存擦除异常存储块修复方法，包括：

读取NAND Flash中的数据时，扫描待读取的存储块中需要读取的数据所在页面的比特数据；

判断该页面是否为擦除异常页面；

如果该页面为擦除异常页面，则将该页面的比特数据中不为1的比特置1；以及

擦除待读取的存储块。

一种非易失闪存擦除异常存储块修复装置，包括：

扫描模块，用于在读取非易失闪存中的数据时，扫描待读取的存储块中需要读取的数据所在页面的比特数据；

第一判断模块，耦接于所述扫描模块，用于判断该页面是否为擦除异常页面；

比特设置模块，耦接于所述第一判断模块，用于当第一判断模块判断出该页面为擦除异常页面时，则将该页面的比特数据中不为1的比特置1；以及

擦除模块，耦接于比特设置模块，用于擦除该待读取的存储块。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明在读取NAND Flash中的数据时，依次对存储块中需要读取的数据所在的页面的比特数据进行扫描，然后判断该页面是否为擦除异常页面，如果为擦除异常页面，则将该页面中比特数据中不为1的比特置1，然后对该存储块进行重新擦除操作；本实施例对NAND Flash擦除失败这种虽然概率小，但是后果严重的异常进行完全的修复，确保在NAND Flash擦除失败时，甚至在遇到突然断电的情况下，也不会有异常数据出现，系统依然能够正常工作，从而提升了系统的可靠性。

附图说明

图1是本发明非易失闪存擦除异常块修复方法的第一实施例的数据流程图；

图2是本发明非易失闪存擦除异常块修复方法的第二实施例的数据流程图；

图3是本发明非易失闪存擦除异常块修复方法中擦除存储块流程的数据流程图；

图4是本发明非易失闪存擦除异常块修复装置的逻辑结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1，本发明非易失闪存擦除异常块修复方法的第一实施例包括：

101、读取NAND Flash中的数据时，扫描待读取的存储块中需要读取的数据所在页面的比特数据；