[发明专利]锗硅异质结双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极型晶体管，集电区由形成于有源区中并横向延伸到有源区周侧的浅槽场氧底部。集电极通过赝埋层和深孔接触引出。有源区周侧的浅槽场氧上形成有多晶硅场板，多晶硅场板覆盖的区域包括集电区的延伸部分以及赝埋层的一部分；在多晶硅场板上方形成有金属接触并和集电极相连。本发明的集电区和基区的结的耗尽区域为二维结构，加上多晶硅场板能够使集电区的电场分布得到改善，能提高器件的击穿电压。本发明还能缩减器件尺寸和面积，能减少器件的寄生电阻和电容，能提高器件的频率特性。本发明还公开了一种锗硅异质结双极型晶体管的制造方法。

主权项

一种锗硅异质结双极型晶体管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，锗硅异质结双极型晶体管包括：集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区周侧的浅槽场氧底部；赝埋层，由形成于所述有源区周侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层和所述有源区的边缘相隔一段距离并和所述集电区的延伸部分在所述浅槽场氧底部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，该深孔接触引出集电极；多晶硅场板，形成于所述有源区周侧的所述浅槽场氧的上，所述多晶硅场板覆盖的区域包括所述集电区的延伸到所述浅槽场氧底部的部分以及所述赝埋层的一部分；在所述多晶硅场板上方形成有金属接触，该金属接触和所述集电极相连；基区，由形成于所述有源区上的P型锗硅外延层组成，所述基区在所述有源区的表面和所述集电区相接触；发射区，由形成于所述基区上部的N型多晶硅组成，所述发射区和所述基区相接触，所述发射区的尺寸小于所述基区的尺寸；在所述发射区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述发射区接触并引出发射极；和所述发射区相接触的所述基区为本征基区，所述本征基区外侧的所述基区为外基区，所述外基区的掺杂浓度大于所述本征基区的掺杂浓度；在所述外基区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述外基区接触并引 出基极。