[发明专利]射频识别中的限幅电路有效
| 申请号： | 201210004084.7 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103199814B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 马和良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H03G11/00 | 分类号： | H03G11/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频识别中的限幅电路，包括耦合整流模块，限幅模块；所述限幅模块包括第一电阻，其一端与耦合整流模块的输出端相连接，另一端与第一PMOS晶体管的源极、第三PMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的源极和第二电容的一端相连接；第一PMOS晶体管的栅极与其漏极、第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的栅极相连接；第二PMOS晶体管的栅极与其漏极、第三NMOS晶体管的栅极和第二电阻的一端相连接；第三NMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的漏极和第四PMOS晶体管的栅极相连接。本发明能使输出的限幅电压更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 识别 中的 限幅 电路 | ||
【主权项】：
一种射频识别中的限幅电路，包括：耦合整流模块，与该耦合整流模块相连接的限幅模块；其特征在于，所述限幅模块包括：第一电阻，其一端与耦合整流模块的输出端相连接，另一端与第一PMOS晶体管的源极、第三PMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的源极和第二电容的一端相连接；第一PMOS晶体管的栅极与漏极相连，同时与第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的栅极相连接；第二PMOS晶体管的栅极与漏极相连，同时与第三NMOS晶体管的栅极和第二电阻的一端相连接；第三NMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的漏极和第四PMOS晶体管的栅极相连接；第二电阻的另一端、第三NMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的漏极和第二电容的另一端接地。
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