[发明专利]单次湿膜制线方法

摘要

本发明公开了一种单次湿膜制线方法，属于触控面板线路制程技术领域。发明通过采用半透光罩曝光显影蚀刻减少湿膜次数，实现产品良率和触控精准度高，还可以简化制程降低触控面板体的厚度和生产成本，不要再次大资本投入新技术设备。

主权项

一种单次湿膜制线方法，包括如下步骤，其特征在于：所述步骤在千级无尘室中进行；玻璃基膜、氧化铟锡镀膜、金属镀膜依次堆叠；将正型光阻涂布在金属镀膜上；视窗内预设感应线路区域做半透光罩，视窗周边预设金属线路区域做不透光罩，剩余区域全透光设置；整个光阻面曝光30秒钟～45秒钟；浓度3％的氢氧化钾溶液第一次显影30秒钟～45秒钟，使感应线路区域的光阻厚度被显影掉一半；浓度4.0摩尔/升～5.0摩尔/升的氯化铜第一次蚀刻掉全透光区域内金属和氧化铟锡；浓度5％的氢氧化钾溶液第二次显影35秒钟～50秒钟，使视窗感应线路区域内光阻被全部显影掉；金属线路上残留一半厚度的光阻；浓度0.5摩尔/升～1.0摩尔/升的氯化铁蚀刻金属，清除视窗区内的金属，在视窗周边形成金属线路，蚀刻面脱膜。