[发明专利]IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签无效
| 申请号： | 201210001750.1 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102567779A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨保和;孙素娟;徐晟;李翠平 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;B32B15/04;B32B9/04;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 廖晓荣 |
| 地址： | 300191 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IDT/ZnO/Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，标签由端口谐振器和标签天线组成。该端口谐振器采用的是多层膜结构，可以提高标签的储存容量，增加标签的综合性能。与端口谐振器进行匹配设计了一款新型的弯折偶极子的标签天线，天线频率为2.45GHz，与传统天线相比增益和有效带宽明显增高，进而实现标签的远距离辐射。 | ||
| 搜索关键词： | idt zno al 金刚石 多层 膜结构 表面波 射频 识别 标签 | ||
【主权项】：
一种IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，包括单端口谐振器与标签天线，其特征在于所述单端口谐振器采用IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构，是在硅衬底上采用微波等离子CVD法制备金刚石膜，在金刚石膜上使用电子束蒸发系统制备40nm‑100nm厚度的 Al膜，再在Al膜上使用射频磁控溅射系统制备 C‑轴取向的ZnO薄膜，最后在ZnO薄膜上使用电子束蒸发系统制备金属膜，再经过光刻制备出谐振器上的叉指换能器和开路反射栅；所述标签天线是弯折偶极子天线。
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