[发明专利]IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签无效
| 申请号： | 201210001750.1 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102567779A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨保和;孙素娟;徐晟;李翠平 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;B32B15/04;B32B9/04;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 廖晓荣 |
| 地址： | 300191 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | idt zno al 金刚石 多层 膜结构 表面波 射频 识别 标签 | ||
1.一种IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，包括单端口谐振器与标签天线，其特征在于所述单端口谐振器采用IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构，是在硅衬底上采用微波等离子CVD法制备金刚石膜，在金刚石膜上使用电子束蒸发系统制备40nm-100nm厚度的 Al膜，再在Al膜上使用射频磁控溅射系统制备 C-轴取向的ZnO薄膜，最后在ZnO薄膜上使用电子束蒸发系统制备金属膜，再经过光刻制备出谐振器上的叉指换能器和开路反射栅；所述标签天线是弯折偶极子天线。
2.按照权利要求1所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构中，金刚石膜厚度大于由该标签中心频率所决定的声表面波波长3倍。
3.按照权利要求1或2所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构中，C-轴取向的ZnO薄膜的平均偏离度小于＜1°, 厚度为1/5-1/4声表面波的波长。
4.按照权利要求1所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指换能器中的叉指对数为24-28对。
5.按照权利要求4所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指电极宽度为0.4μm-1.2μm，叉指电极厚度为40nm-150nm。
6.按照权利要求1所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述反射栅为开路反射栅，设置4-8组，每组9-11对。
7.按照权利要求5或6所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指换能器和反射栅是在电子束蒸发系统制备的金属膜Al上，经过光刻技术制备出叉指换能器和反射栅的形状。
8.按照权利要求1-7所述的任一IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述弯折偶极子天线的偶极子臂采用间隔距离不规则的直角来回弯折式。
9.按照权利要求8所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述弯折偶极子天线的制作采用的是铝基覆铜板RF4介质板，天线的轮廓是由铜片制成。
10.按照权利要求8或9所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述标签频率为2.45GHz-5.8.GHz。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210001750.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电容补偿投切开关结构
- 下一篇：过程控制系统信号频率谱分析方法与装置
