[发明专利]碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法无效
| 申请号： | 201210000615.5 | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103193232A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本发明将简单易得的有机物作为碳源和硅源来使用，因此生产成本低，制备工艺简单，能大规模生产；并且采用了液态或溶胶状态的碳源和硅源，通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体，保证了碳源和硅源的超紧密接触，克服了传统的固相合成法原料混合反应不均的问题；又，因采用高纯度碳源和硅源，能获得可应用于碳化硅晶体的生长的高纯度碳化硅原料。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 高纯 原料 相合 成方 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，其特征在于，所述固相合成方法包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。
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