[发明专利]碳纳米管半导体器件和确定性纳米制造方法有效
| 申请号： | 201180076090.7 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104011850B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | L·D·王;S·B·克伦德宁;D·J·米夏拉克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;B82B3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 韩宏,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了采用碳纳米管(CNT)的晶体管结构和互连结构。本发明的其它实施例提供了制造采用碳纳米管的晶体管结构和互连结构的方法。根据本发明的实施例的确定性纳米制造技术能够提供有效率的路线，用于例如随机逻辑和存储电路应用中使用的晶体管和互连结构的大规模制造。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 半导体器件 确定性 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有表面的衬底，设置在所述衬底表面上的至少两个组装区域，其中所述组装区域包括第一金属和选自由硫、氮及其组合构成的组中的第二物质，碳纳米管，其中所述碳纳米管具有端部，且其中第一端与第一组装区域接触，而第二端与第二组装区域接触，以及源极区域和漏极区域，其中所述源极区域与多个碳纳米管的第一端接触，而所述漏极区域与所述多个碳纳米管的所述第二端接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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