[发明专利]用于高鳍状物的硬掩模蚀刻停止层

摘要

在高鳍状物的顶表面上形成硬掩模蚀刻停止层，以在晶体管制造过程的蚀刻步骤期间保持鳍状物高度并保护鳍状物的顶表面以避免受损。在一个实施例中，使用双硬掩模系统形成硬掩模蚀刻停止层，其中，在衬底的表面之上形成硬掩模蚀刻停止层，第二硬掩模层用于借助鳍状物顶表面上的硬掩模蚀刻停止层对鳍状物进行图案化。去除第二硬掩模层，同时保留硬掩模蚀刻停止层，以在后续制造步骤过程中保护鳍状物的顶表面。

主权项

一种用于形成半导体设备的方法，包括：提供衬底，其中，所述衬底包括单晶半导体材料；在所述衬底之上均厚沉积第一硬掩模层；在所述第一硬掩模层之上均厚沉积第二硬掩模层；蚀刻所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层以形成掩模；与所述掩模对准地蚀刻所述衬底以形成鳍状物；在所述鳍状物之上均厚沉积电介质材料；对所述电介质材料抛光，以与所述第一硬掩模层的顶表面在同一平面，其中，在抛光过程中去除所述第二硬掩模层；蚀刻所述电介质材料，以暴露出所述鳍状物的有源区；均厚沉积栅极结构材料；以及蚀刻所述栅极结构材料以形成栅极结构，其中，所述栅极结构围绕所述鳍状物的侧壁和顶表面，以限定所述鳍状物内的沟道区以及在所述沟道区的相对侧上的源极区/漏极区，并且其中，所述第一硬掩模层保护所述鳍状物的顶表面以避免所述顶表面被蚀刻。