[发明专利]用于等离子体反应器的微波功率传输系统有效
申请号: | 201180068067.3 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103415647A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | C·J·H·沃特;J·R·布兰登 | 申请(专利权)人: | 六号元素有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511;H01J37/32;H01P5/04;H01P5/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 卓霖 |
地址: | 英国马恩*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种用于将微波功率供应给多个微波等离子体反应器的微波功率传输系统(8),所述微波功率传输系统包括:调谐器(14),所述调谐器(14)配置为联接到微波源(4)上并且配置为使所述多个微波等离子体反应器的阻抗与所述微波源的阻抗相匹配;以及波导管接头(18),所述波导管接头(18)联接到所述调谐器上并且配置为将微波引导到所述多个微波等离子体反应器上和将微波从所述多个微波等离子体反应器中导出;其中,所述波导管接头包括四个波导管端口,所述四个波导管端口包括联接到所述调谐器上的第一端口、配置为联接到相应微波等离子体反应器上的第二端口和第三端口、和联接到微波接收器(20)上的第四端口;其中,所述波导管接头配置为通过所述第一端口将来自所述调谐器的微波功率输入均匀地在所述第二端口和第三端口之间分配以用于将微波功率提供给相应的微波等离子体反应器;其中,所述波导管接头配置为取消所述第二端口和第三端口的联接,从而防止来自所述微波等离子体反应器中的一个的任何反射微波经过所述波导管接头直接进给到另一微波等离子体反应器内而导致不平衡;其中,所述波导管接头还配置为将通过所述第二端口和第三端口接收回的、就振幅和相位而言为平衡的反射微波进给到所述调谐器中,使得它们能够由所述调谐器反射和再使用;以及其中,所述波导管接头还配置为通过所述第四端口将不平衡的过多的反射功率进给到所述微波接收器内。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 反应器 微波 功率 传输 系统 | ||
【主权项】:
一种用于将微波功率供应给多个微波等离子体反应器的微波功率传输系统,所述微波功率传输系统包括:调谐器,所述调谐器配置为联接到微波源上并且配置为使所述多个微波等离子体反应器的阻抗与所述微波源的阻抗相匹配;以及波导管接头,所述波导管接头联接到所述调谐器上并且配置为将微波引导到所述多个微波等离子体反应器上和将微波从所述多个微波等离子体反应器中导出;其中,所述波导管接头包括四个波导管端口,所述四个波导管端口包括联接到所述调谐器上的第一端口、配置为联接到相应微波等离子体反应器上的第二端口和第三端口、和联接到微波接收器上的第四端口;其中,所述波导管接头配置为通过所述第一端口将来自所述调谐器的微波功率输入均匀地在所述第二端口和第三端口之间分配以用于将微波功率提供给相应的微波等离子体反应器;其中,所述波导管接头配置为取消所述第二端口和第三端口的联接,从而防止来自所述微波等离子体反应器中的一个的任何反射微波经过所述波导管接头直接进给到另一微波等离子体反应器内而导致不平衡;其中,所述波导管接头还配置为将通过所述第二端口和第三端口接收回的、就振幅和相位而言为平衡的反射微波进给到所述调谐器中,使得它们能够由所述调谐器反射和再使用;以及其中,所述波导管接头还配置为通过所述第四端口将不平衡的过多的反射功率进给到所述微波接收器内。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的