[发明专利]同时的晶圆结合及互连接合有效

申请号：	201180067909.3	申请日：	2011-04-01
公开（公告）号：	CN103370784A	公开（公告）日：	2013-10-23
发明（设计）人：	瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;皮尤什·萨瓦利亚;克雷格·米切尔	申请（专利权）人：	德塞拉股份有限公司
主分类号：	H01L21/98	分类号：	H01L21/98;H01L25/065
代理公司：	珠海智专专利商标代理有限公司 44262	代理人：	段淑华;刘曾剑
地址：	95134 美国加利福***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。
搜索关键词：	同时结合互连接合
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【主权项】：

形成微电子组件的方法，包括如下步骤：提供具有主表面、和在所述主表面暴露的介电层以及至少一个结合垫的微电子元件，所述微电子元件包含复数个有源电路元件；提供具有小于10ppm/℃的热膨胀系数的第二元件，所述第二元件具有主表面和在该主表面暴露的介电层；沉积第一金属层，其覆盖所述微电子元件的至少一个结合垫和介电层；沉积第二金属层，其覆盖所述第二元件的介电层；使所述第一金属层与所述第二金属层接合。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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