[发明专利]多不饱和化合物的金属催化的单-氢化硅烷化

摘要

本申请披露了选择性合成多不饱和化合物诸如三乙烯基环己烷的单-氢化硅烷化衍生物，其中使用基于非贵金属的吡啶二亚胺和三联吡啶络合物作为选择性氢化硅烷化催化剂。

主权项

1.用于由包含甲硅烷基氢化物和多不饱和化合物的组合物选择性制备单甲硅烷基化产物的方法，该方法包括使所述组合物与式(I)、式(II)或式(III)的络合物接触以引起所述甲硅烷基氢化物与所述多不饱和化合物反应从而氢化硅烷化选择性发生在该不饱和化合物的一个不饱和基团上，由此制备单-氢化硅烷化产物，其中所述多不饱和化合物由式(IV)或式(V)表示：E¹[(CH₂)_βCR¹=CH₂]_α，(式IV)R²_γE²[(CH₂)_βCR¹=CH₂]_α，(式V)其中E¹是包含3至25个碳原子的二价或多价脂族或芳族环状烃基、或者包含3至25个碳原子的二价或多价脂族或芳族杂环烃基，其中所述杂原子选自氧、氮、硅和硫；E²是含有3至8个硅原子和3至8个氧原子的二价或多价环状硅氧烷基团；R¹和R²每次出现时独立地为氢或者包含1至8个碳原子的烃基；以及α、β和γ每次出现时独立地为整数，其中α是2至6；β是0至6；以及γ是0至4；其中式(I)、式(II)和式(III)是：式(I)式(II)式(III)其中：G为Mn、Fe、Ni或Co；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₉和R₂₀每次出现时独立地为氢、C1-C18烷基、C1-C18取代的烷基、芳基、取代的芳基，或者惰性官能团，其中R₁至R₉、R₁₉、R₂₀当不为氢时任选地包含至少一个杂原子；R₂₃每次出现时独立地为C1-C18烷基、C1-C18取代的烷基、芳基或者取代的芳基，其中R₂₃任选地包含至少一个杂原子；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₉、R₂₀和R₂₃中彼此邻近的任何两个任选地可一起形成环，该环是取代或未取代的、饱和的、或不饱和的环状结构；L₁和L₂各自独立地为C1-C18烷基、C1-C18取代的烷基、芳基、取代的芳基，C2-C18烯基，C2-C18炔基，或者L₁-L₂共同为以下的一种式(A)式(B)(C)，或者式(D)其中R₁₀、R₁₁、R₁₃、R₁₄、R₁₅和R₁₆每次出现时独立地为氢、C1-C18烷基、C2-C18烯基、或C2-C18炔基，其中R₁₀、R₁₁、R₁₃、R₁₄、R₁₅和R₁₆当不为氢时任选地包含至少一个杂原子，并且R₁₀、R₁₁、R₁₃、R₁₄、R₁₅和R₁₆当不为氢时是任选地取代的；R₁₂每次出现时独立地为C1-C18烷基、C1-C18取代的烷基、C2-C18烯基、C2-C18取代的烯基、C2-C18炔基、C2-C18取代的炔基、芳基、取代的芳基，其中R₁₂任选地包含至少一个杂原子；R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃、R₁₄、R₁₅、R₁₆中任何两个任选地可一起形成环，该环是取代或未取代的、饱和的、或不饱和的环状结构；R₁₇和R₁₈每次出现时独立地为烷基、取代的烷基、芳基或取代的芳基，其中R₁₇和R₁₈各自任选地包含至少一个杂原子，并且其中R₁₇和R₁₈可共同形成环，该环是取代或未取代的、饱和的、或不饱和的环状结构；R₁₉和R₂₀每次出现时独立地为连接Si和C的共价键、烷基、取代的烷基、或杂原子，其中R₁₉和R₂₀任选地包含至少一个杂原子；其中L₁-L₂通过不饱和位点S₁和S₂与G连接；X各自独立地为C1-C18烷基、C1-C18取代的烷基、芳基或者取代的芳基，其中X任选地包含至少一个杂原子；以及其中在所述甲硅烷基氢化物中的Si-H官能团与在所述不饱和化合物中的烯基官能团的摩尔比是约(0.5:α)至约(1.1:α)。