[发明专利]用于图像传感器的包括二重或者四重硅纳米线的全色彩单个像素有效
申请号: | 201180065814.8 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN103339744A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 穆尼布·沃贝尔 | 申请(专利权)人: | 立那工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/062 | 分类号: | H01L31/062 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李春秀 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一图像传感器包括一个基板和基板上的一个或多个像素。该像素中有子像素,包含对于不同色彩的光具有敏感的纳米线。该纳米线功能性的将其敏感的色彩的光转换成电信号。 | ||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 包括 二重 或者 四重硅 纳米 色彩 单个 像素 | ||
【主权项】:
一图像传感器,包括一基板和基板上的一个或多个像素,其中每个像素包括一第一子像素和一第二子像素;该第一子像素包含一第一纳米线,其可操作性地在一第一波长光照射后产生一电信号;该第二子像素包含一第二纳米线,其可操作性地在与第一波长不同波长的一第二波长光照后产生一电信号;该第一纳米线和第二的纳米线基本垂直延伸于基板。
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- 穆尼布·沃贝尔 - 立那工业股份有限公司
- 2011-12-13 - 2013-10-02 - H01L31/062
- 一图像传感器包括一个基板和基板上的一个或多个像素。该像素中有子像素,包含对于不同色彩的光具有敏感的纳米线。该纳米线功能性的将其敏感的色彩的光转换成电信号。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的