[发明专利]透过优化的重置状态降低储存元件中的泄漏无效

专利信息
申请号: 201180065210.3 申请日: 2011-11-15
公开(公告)号: CN103430180A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: A·K·古纳塞卡 申请(专利权)人: 先进微装置公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供各种方法以透过优化的重置状态降低泄漏并提升储存元件的性能。该些方法包括选择储存元件,其中,该储存元件包括经尺寸设置以降低静态漏电流的至少一储存元件组件或经调整以增加该储存元件的速度或性能的至少其中一者的至少一储存元件组件。该些方法还要求确定该储存元件的优选重置状态,其中,该优选重置状态至少基于静态漏电流的降低或该储存元件的速度或性能。该些方法还要求设置该储存元件重置状态为该优选重置状态。另一种方法要求确定储存元件是否在静态中至少花费预定时间量,以及至少基于该储存元件于其中至少花费该预定时间量的该静态确定该储存元件的优选重置状态。另一种方法还要求至少基于该储存元件于其中至少花费该预定时间量的该静态设置优选重置状态。
搜索关键词: 透过 优化 重置 状态 降低 储存 元件 中的 泄漏
【主权项】:
一种方法,包括:选择储存元件,至少基于该储存元件包括经尺寸设置以降低静态漏电流的至少一储存元件组件;确定该储存元件的优选重置状态,其中,该优选重置状态至少基于静态漏电流的该降低;以及设置该储存元件重置状态为该优选重置状态。
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