[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201180063189.3 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103314127A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎由佳;村冈阳子;待永广宣;梨木智刚;宫崎司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;B32B9/00;B32B15/08;C23C14/58;G06F3/041;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。
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