[发明专利]具有被减薄的衬底的垂直半导体器件有效
| 申请号： | 201180059579.3 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103339732A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | S.B.莫林;M.A.斯图伯 | 申请（专利权）人： | IO半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 垂直半导体器件（例如，垂直功率器件、IGBT器件、垂直双极晶体管、UMOS器件或GTO闸流管）形成为具有源半导体区域，在该有源半导体区域内制作有多个半导体结构以形成有源器件，并且在该有源半导体区域之下至少一部分衬底材料被去除，以隔离该有源器件、暴露至少一个半导体结构而用于底侧电连接、及提高散热性能。优选至少一个半导体结构在有源半导体区域的底侧被电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 被减薄 衬底 垂直 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片，包括：垂直半导体器件，包括：有源半导体区域，在该有源半导体区域内制作有多个半导体结构以形成有源器件，并且在该有源半导体区域之下至少一部分衬底材料被去除，以隔离该有源器件、暴露至少一个半导体结构而用于底侧电连接、及提高散热性能；以及至少一个底侧电极，连接到暴露的该至少一个半导体结构。
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