[发明专利]具有无边界接触的取代金属栅极有效
| 申请号： | 201180054728.7 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103210485A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | D·V·霍拉克;范淑贞;T·E·斯坦戴特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张臻贤 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种在取代金属栅极过程中形成用于晶体管的无边界接触(1001)的方法。该方法包括：在衬底上面形成栅极(102)，并且形成与栅极的侧壁相邻的间隔物(103)；降低间隔物的高度以暴露栅极的侧壁的顶部分；沉积覆盖间隔物和栅极的侧壁的上部分的蚀刻停止层(301)；在间隔物上方的层级并且在侧壁的上部分中制成开口(601)以暴露栅极；并且用新栅极材料(701)取代开口的栅极的材料，由此形成取代栅极。该方法还在包围栅极和间隔物的层级间电介质层中产生通路开口(901)，而通路开口暴露蚀刻停止层；去除蚀刻停止层并且用金属材料填充通路开口以形成无边界接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边界 接触 取代 金属 栅极 | ||
【主权项】：
一种用于形成取代金属栅极的方法，包括：在衬底上面形成栅极和与所述栅极的侧壁相邻的第一组间隔物；降低所述第一组间隔物的高度以暴露所述栅极的所述侧壁的上部分；沉积覆盖所述高度降低的间隔物和所述栅极的所述侧壁的所述暴露的上部分的蚀刻停止层；在所述间隔物上方的层级并且在所述侧壁的所述上部分内产生开口以从所述栅极的顶部暴露所述栅极；以及从所述开口去除所述栅极的现有栅极材料并且用新栅极材料取代以形成取代栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
