[发明专利]使用红外线的贯通孔图案检查方法无效
| 申请号： | 201180053877.1 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103201830A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 藤森义彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能检查至图案的深部为止的硅基板(晶圆)的检查方法。基板的检查方法，具有：照射步骤(S101)，对在一方的面形成有既定图案的硅基板的一方或另一方的面照射照明光，该照明光具有对硅基板的渗透性；检测步骤(S102)，检测来自照明光照射后的硅基板的光；以及检查步骤(S103)，从在检测步骤检测出的来自硅基板的光的检测信号，进行利用图案的周期性的光的特性的硅基板的检查。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 红外线 贯通 图案 检查 方法 | ||
【主权项】：
一种基板的检查方法，具有：照射步骤，对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射照明光，该照明光具有对该基板渗透至既定深度的渗透性；检测步骤，检测该照明光于该基板反射或透射过的光；以及检查步骤，使用以在该检测步骤检测出的该图案为依据的信息进行该基板的检查。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
