[发明专利]使用红外线的贯通孔图案检查方法无效
申请号: | 201180053877.1 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN103201830A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 藤森义彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 红外线 贯通 图案 检查 方法 | ||
1.一种基板的检查方法,具有:
照射步骤,对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射照明光,该照明光具有对该基板渗透至既定深度的渗透性;
检测步骤,检测该照明光于该基板反射或透射过的光;以及
检查步骤,使用以在该检测步骤检测出的该图案为依据的信息进行该基板的检查。
2.如权利要求1所述的基板的检查方法,其中,该基板为硅基板;
在该检查步骤,根据该照明光对该硅基板的渗透特性,从在该检测步骤检测出的来自该硅基板的检测信号,进行至该硅基板的所欲深度位置的该检查。
3.如权利要求1或2所述的基板的检查方法,其中,作为该照明光使用约600nm~约1100nm的波长的光。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板的检查方法,其中,该图案为由对该基板开孔形成的复数个孔构成的孔图案;
该孔为用以在该基板形成贯通电极的孔。
5.如权利要求4所述的基板的检查方法,其具有运算步骤,该运算步骤利用来自该基板的光与该孔的直径的相关性,从在该检测步骤检测出的检测信号算出该孔的直径。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板的检查方法,其中,在该照射步骤,将该照明光照射至该基板,以在该基板的该图案使衍射光产生;
在该检测步骤,检测该照明光照射而在该基板的该图案产生的该衍射光。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板的检查方法,其中,在该照射步骤,作为该照明光,从该另一方的面照射具有到达至少该图案程度的渗透性的照明光。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基板的检查方法,其中,使用该渗透性彼此不同的复数个波长的照明光,就该复数个波长的照明光分别反复该照射步骤、该检测步骤、及该检查步骤。
9.一种基板的检查装置,具备:
照射部,对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射红外线即照明光;
检测部,检测来自该照明光照射后的该基板的光,并输出检测信号;
调整部,依据该图案调整该基板与该照射部与该检测部的中至少一个;以及
检查部,使用该检测信号的状态进行该基板的检查。
10.如权利要求9所述的基板的检查装置,其中,该基板为硅基板;
该检查部,根据该照明光对该硅基板的渗透特性与来自该硅基板的该检测信号,进行至该硅基板的所欲深度位置的该检查。
11.如权利要求9或10所述的基板的检查装置,其中,该照射部,作为该照明光将复数个波长的照明光分别照射至该基板;
该检查部,根据该照明光对该基板的渗透特性,进行该所欲深度位置的该检查。
12.如权利要求9至11中任一项所述的基板的检查装置,其中,作为该照明光使用约600nm~约1100nm的波长的光。
13.如权利要求9至12中任一项所述的基板的检查装置,其中,该照射部,从未形成该图案的该另一方的面侧将具有到达至少该图案程度的渗透性的光照射至该基板。
14.如权利要求9至13中任一项所述的基板的检查装置,其中,该图案为由从该基板表面朝向内部形成的复数个孔构成的孔图案;
该孔为用以在该基板形成贯通电极的孔。
15.如权利要求14所述的基板的检查装置,其进一步具备运算部,该运算部利用来自该基板的光与该孔的直径的相关性,从该检测信号算出该孔的直径。
16.如权利要求9至15中任一项所述的基板的检查装置,其中,该照射部,将该照明光照射至该基板,以在该基板的该图案使衍射光产生;
该检测部,检测该照明光照射而在该基板的该图案产生的该衍射光。
17.一种曝光系统,具备在基板表面使既定图案曝光的曝光装置、及进行被该曝光装置曝光而在表面形成有该图案的基板的检查的检查装置;
该检查装置是权利要求9至16中任一项所述的检查装置,将该检查部进行的该检查的结果输出至该曝光装置;
该曝光装置,依据从该检查装置输入的该检查的结果,设定该曝光装置的曝光条件。
18.一种半导体装置的制造方法,具有在基板表面使既定图案曝光的曝光步骤、依据该曝光进行后的该图案对基板表面进行蚀刻的蚀刻步骤、及进行该曝光或该蚀刻进行而在表面形成有该图案的基板的检查的检查步骤,其特征在于:
该检查步骤是使用权利要求1至8中任一项所述的检查方法进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造