[发明专利]表面改性的硅酸盐发光体无效

专利信息
申请号: 201180039682.1 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN103068953A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 李贞勋;沃尔特·特沃斯;贡杜拉·罗斯;德特勒夫·斯塔里克 申请(专利权)人: 首尔半导体株式会社;锂特LP股份有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C09K11/79;C09K11/59;C09K11/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;刘奕晴
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种表面改性的硅酸盐发光体包括硅酸盐发光体以及包覆层,包覆层包括以下的至少一种:(a)氟化的包覆层,包括氟化的无机试剂、氟化的有机试剂或者氟化的无机试剂和有机试剂的组合,所述氟化的包覆层产生疏水的表面位点,以及(b)氟化的包覆层和至少一个潮气阻挡层的组合。所述潮气阻挡层包括MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Lu2O3和SiO2或者对应的前驱物,包覆层设置在硅酸盐发光体的表面上。
搜索关键词: 表面 改性 硅酸盐 发光体
【主权项】:
一种表面改性的硅酸盐发光体,包括:硅酸盐发光体;以及包覆层,包括以下的至少一种:氟化的包覆层,包括氟化的无机试剂、氟化的有机试剂或者氟化的无机试剂和氟化的有机试剂的组合,所述氟化的包覆层产生疏水的表面位点;以及氟化的包覆层和至少一个潮气阻挡层的组合,所述潮气阻挡层包括MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Lu2O3和SiO2或者对应的前驱物,其中,包覆层设置在硅酸盐发光体的表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔半导体株式会社;锂特LP股份有限公司,未经首尔半导体株式会社;锂特LP股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180039682.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top