[发明专利]表面改性的硅酸盐发光体无效
申请号: | 201180039682.1 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN103068953A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李贞勋;沃尔特·特沃斯;贡杜拉·罗斯;德特勒夫·斯塔里克 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社;锂特LP股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/79;C09K11/59;C09K11/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 改性 硅酸盐 发光体 | ||
1.一种表面改性的硅酸盐发光体,包括:
硅酸盐发光体;以及
包覆层,包括以下的至少一种:
氟化的包覆层,包括氟化的无机试剂、氟化的有机试剂或者氟化的无机试剂和氟化的有机试剂的组合,所述氟化的包覆层产生疏水的表面位点;以及
氟化的包覆层和至少一个潮气阻挡层的组合,所述潮气阻挡层包括MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Lu2O3和SiO2或者对应的前驱物,
其中,包覆层设置在硅酸盐发光体的表面上。
2.根据权利要求1所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,表面改性的发光体包括粉状的碱土金属硅酸盐发光体。
3.根据权利要求1所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,氟化的包覆层包括氟官能化的有机硅烷,氟官能化的有机硅烷包括通式Si(OR)3X,其中R=CH3、C2H5或者更高级的烷,X包括氟官能化的有机配体,以及
其中,氟化层设置在硅酸盐发光体上,氟化的阻挡层包括疏水性质。
4.根据权利要求1所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,硅酸盐发光体包括通式(Me1+Me2+Me3+)x·(Si,P,Al,B,V,N,C,Ge)y·(O,N)z:(A,F,S),其中,A是从镧系元素和/或锰的组选择的激活剂,F是表面固定的或者交联的氟或氟化合物,S是使用未氟化的层形成材料的附加包覆层,Me1+是一价金属,Me2+是二价金属,Me3+是从第III族或者镧系元素中选择的三价金属,一些硅可以被P、Al、B、V、N、Ge或者C取代,并且0<x<5,0<y<12,0<z<24。
5.根据权利要求1所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,硅酸盐发光体包括式Sr3-x-y-zCaxBaySiO5:Euz,F,S,其中,0≤x≤2,0≤y≤2以及0<z<0.5。
6.根据权利要求1所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,硅酸盐发光体包括式Sr3-x-y-zCaxBaySiO5:Euz,F,S,其中,0≤x≤0.05,0≤y≤0.5以及0<z<0.25。
7.根据权利要求2所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,所述粉状的碱土金属硅酸盐发光体还包括被包括Mg、Zn的二价离子,从碱金属的组和稀土的组选择的一价阳离子以及从稀土的组选择的三价阳离子取代的碱土金属。
8.根据权利要求2所述的表面改性的硅酸盐发光体,其中,所述粉状的碱土金属硅酸盐发光体还包括被P、B、V、N、Ge或C取代的硅。
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