[发明专利]结晶状硅晶圆的纹理蚀刻液组成物及纹理蚀刻方法（2）有效
| 申请号： | 201180039234.1 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103108992A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 洪亨杓;李在连;林大成 | 申请（专利权）人： | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/32 | 分类号： | C23F1/32;H01L21/306;C09K13/00;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于将结晶状硅晶圆纹理化的蚀刻组成物，及一种使用该蚀刻组成物将结晶状硅晶圆蚀刻的方法，所述蚀刻组成物可将结晶状硅晶圆表面的光吸收度最大化，该蚀刻组成物包括按组成物总量计为：（A）碱性化合物；（B）沸点为100℃以上的环状化合物；（C）氟系界面活性剂；以及（D）水。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 状硅晶圆 纹理 蚀刻 组成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将结晶状硅晶圆纹理化的蚀刻组成物，包括按组成物总量计为：0.1至20重量%的碱性化合物；0.1至50重量%的沸点为100℃以上的环状化合物；0.000001至10重量%的氟系界面活性剂；以及剩余为水。
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