[发明专利]制备三卤代硅烷的方法无效
| 申请号： | 201180037951.0 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN103052595A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森;马修·J·麦克劳克林;温迪·斯帕苏 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武晶晶;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备三卤代硅烷的方法，该方法包括以下的单独而连续的步骤：(i)使铜催化剂与氢气和四卤化硅在500-1400℃的温度下接触，以形成包含至少0.1％(w/w)硅的含硅的铜催化剂，其中该铜催化剂所包含的金属选自铜和包含铜与至少一种选自金、镁和铂的元素的混合物；和(ii)使该含硅的铜催化剂与卤化氢在100-600℃的温度下接触，以形成三卤代硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 三卤代 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
一种制备三卤代硅烷的方法，所述方法包括以下的单独而连续的步骤：(i)使铜催化剂与氢气和四卤化硅在500‑1400℃的温度下接触，以形成包含至少0.1％(w/w)硅的含硅的铜催化剂，其中所述铜催化剂所包含的金属选自铜和包含铜与至少一种选自金、镁和铂的元素的混合物；以及(ii)使所述含硅的铜催化剂与卤化氢在100‑600℃的温度下接触，以形成三卤代硅烷。
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