[发明专利]成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。

主权项

一种成膜方法，在能够被抽真空的处理容器内利用等离子体将金属靶电离而产生金属离子，并对所述处理容器内的载置台供给偏置电力，对载置于所述载置台的被处理体施加偏压，将所述金属离子引入到所述被处理体，在形成于所述被处理体的凹部内沉积金属的薄膜，所述成膜方法包括：基膜形成工序，通过偏压将所述金属离子引入到所述被处理体，在所述凹部内形成包含金属的基膜；蚀刻工序，对所述被处理体施加偏压，并且在不产生所述金属离子的条件下生成等离子体，电离稀有气体并且将生成的稀有气体的离子引入到所述被处理体，对所述基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，利用施加在所述被处理体上的偏压将所述金属离子引入到所述被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，并且使所述主膜加热回流。