[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，在能够被抽真空的处理容器内利用等离子体将金属靶电离而产生金属离子，并对所述处理容器内的载置台供给偏置电力，对载置于所述载置台的被处理体施加偏压，将所述金属离子引入到所述被处理体，在形成于所述被处理体的凹部内沉积金属的薄膜，所述成膜方法包括：

基膜形成工序，通过偏压将所述金属离子引入到所述被处理体，在所述凹部内形成包含金属的基膜；

蚀刻工序，对所述被处理体施加偏压，并且在不产生所述金属离子的条件下生成等离子体，电离稀有气体并且将生成的稀有气体的离子引入到所述被处理体，对所述基膜进行蚀刻；和

成膜回流工序，利用施加在所述被处理体上的偏压将所述金属离子引入到所述被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，并且使所述主膜加热回流。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述蚀刻工序中的偏置电力比所述基膜形成工序中的偏置电力大。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述蚀刻工序中的所述处理容器内的压力比所述基膜形成工序中的所述处理容器内的压力低。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述成膜回流工序中的所述处理容器内的压力比所述蚀刻工序中的所述处理容器内的压力高。

5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述蚀刻工序中，施加在所述靶上的直流电力设定为零，用于产生所述金属离子的高频电力设定为零。

6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述成膜回流工序中，在规定的偏置电力下，成膜量的最大值Td和所述主膜被蚀刻的蚀刻量Te的比（Te/Td）设定为0.33以上。

7.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述成膜回流工序中，所述被处理体的温度设定在25～200℃的范围内。

8.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述各工序在相同的处理容器内进行。

9.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述金属包括铜。

10.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述成膜回流工序之后，进行通过镀层处理将所述金属埋入所述凹部内的镀层工序。

11.一种成膜方法，在能够被抽真空的处理容器内利用等离子体将金属靶电离而产生金属离子，并对所述处理容器内的载置台供给偏置电力，对载置于所述载置台的被处理体施加偏压，将所述金属离子引入到所述被处理体，在形成于所述被处理体的凹部内沉积金属的薄膜，所述成膜方法包括：

成膜蚀刻工序，通过偏压将所述金属离子引入到所述被处理体，在所述凹部内形成包含金属的基膜，并且对所述基膜进行蚀刻；和

成膜回流工序，通过偏压将所述金属离子引入到所述被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，并且使所述主膜加热回流。

12.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

所述成膜回流工序中，在规定的偏置电力下，成膜量的最大值Td和所述主膜被蚀刻的蚀刻量Te的比（Te/Td）设定为0.33以上。

13.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

在所述成膜回流工序中，所述被处理体的温度设定在25～200℃的范围内。

14.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

所述各工序在相同的处理容器内进行。

15.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

所述金属包括铜。

16.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

所述成膜回流工序之后，进行通过镀层处理将所述金属埋入所述凹部内的镀层工序。