[发明专利]清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统无效
| 申请号： | 201180026454.0 | 申请日： | 2011-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN102918630A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 田中亮;金井俊;白石健一;渡边俊二;涩谷敬 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 清洗方法包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第1液体；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收供给到接液构件的第2液体；以及执行使回收的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 器件 制造 曝光 装置 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，其特征在于，包括：将清洗用的第1液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；回收供给到所述接液构件的所述第1液体；在用所述第1液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；回收供给到所述接液构件的所述第2液体；以及执行使所述回收的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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