[发明专利]生成沉积物的方法和硅基底表面上的沉积物

摘要

沉积物和在硅基底表面上生成沉积物的方法。沉积物包含氧化铝，并且方法包括任何顺序下的交替步骤：a）将作为氧前体的水和臭氧中的一种引入反应空间，b）将作为氧前体的水和臭氧中的另一种引入反应空间，c）将铝前体引入反应空间并随后吹扫反应空间；条件是，当步骤a）或步骤b）在步骤c）前时，则在步骤c）前吹扫反应空间，和当步骤a）在步骤b）前时或当步骤b）在步骤a）前时，不在步骤a）与步骤b）之间吹扫反应空间。

主权项

在硅基底表面上生成沉积物的方法，所述沉积物包含氧化铝，其特征在于，所述方法包括下述任何顺序的交替步骤：a）将作为氧前体的水和臭氧中的一种引入反应空间，使得至少部分所述氧前体吸附到所述硅基底的沉积表面上，b）将作为氧前体的水和臭氧中的另一种引入反应空间，使得至少部分所述氧前体吸附到所述硅基底的沉积表面上，c）将铝前体引入反应空间，使得至少部分铝前体吸附到所述硅基底的沉积表面上，并随后吹扫所述反应空间，条件是，当步骤a）或步骤b）在步骤c）前时，则在步骤c）前吹扫所述反应空间，和当步骤a）在步骤b）前时或当步骤b）在步骤a）前时，不在步骤a）与步骤b）之间吹扫所述反应空间。