[发明专利]在双稳态元件的群集状态中对多电平存储器进行概率性编程的方法和设备无效

专利信息
申请号: 201180022699.6 申请日: 2011-05-06
公开(公告)号: CN102884580A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 文清·吴;肯德里克·H·元;朱晓春;升·H·康;马修·迈克尔·诺瓦克;杰弗里·A·莱文;罗伯特·吉尔摩;尼古拉斯·于 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 将概率性编程电流注入到双稳态概率性切换元件的群集中,所述概率性编程电流具有经设定以导致任何给定双稳态切换元件进行切换的小于1的概率的参数,且检测所述双稳态切换元件的群集的电阻。注入所述概率性编程电流且检测群集状态的所述电阻,直到满足终止条件为止。任选地,所述终止条件是检测到所述双稳态切换元件的群集的所述电阻处于表示多位数据的值。
搜索关键词: 双稳态 元件 群集 状态 电平 存储器 进行 概率 编程 方法 设备
【主权项】:
一种磁性随机存取存储器MRAM多电平单元,其包括:至少一个晶体管,其用于存取控制;以及N个概率性双稳态切换元件的群集,所述群集具有第一群集编程电流端子和第二群集编程电流端子,所述概率性双稳态切换元件以群集拓扑耦合,其中响应于接收到从所述第一群集编程电流端子和所述第二群集编程电流端子中的一者传递的编程电流,所述群集具有切换到至少N+1个可能的电阻率等级中的非零概率。
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