[发明专利]制造基于硫属化物的光伏电池的方法有效
| 申请号： | 201180021823.7 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102870234A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 托德·R·布里登;杰弗里·L·小芬顿;加里·E·米切尔;柯克·R·汤姆森;迈克尔·E·米尔斯;戴维·J·帕里洛 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0336;C23C14/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是在制作光伏电池中在基于硫属化铜的吸收体上形成基于硫化镉的缓冲体的方法。将缓冲体在相对高的压力溅射。所得到的电池具有良好的效率并且根据一个实施方案，其特征在于吸收体与缓冲体层之间狭窄的界面。根据第二实施方案，缓冲体的特征进一步在于相对高的氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 基于 硫属化物 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：在基板上形成基于硫属化物的吸收体层，通过在0.08至0.12毫巴的工作压力溅射在所述吸收体上形成包含镉和硫的缓冲体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
