[发明专利]电子器件和系统，以及用于该电子器件和系统的制造和使用方法

摘要

本发明提供了一系列新的结构和方法以减少宽阵列的电子器件和系统的功耗。这些结构和方法中的一些可以大部分通过重新使用块CMOS工艺流程和制造技术来实施，允许半导体工业以及更广泛的电子工业避免昂贵地且有风险地切换到替换技术。如将要讨论的，这些结构和方法中的一些涉及深度耗尽沟道设计(DDC)设计，允许CMOS基器件相比于传统的块CMOS具有减小的σVT，并且能够允许在沟道区域中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT被更精确地设定。DDC设计与传统的块CMOS晶体管相比还具有强体效应，其允许对DDC晶体管中的功耗进行重要的动态控制。

主权项

一种场效应晶体管，其包括：在块硅中的掺杂阱；栅极，其具有长度Lg并且布置在所述掺杂阱的上方以控制漏极和源极之间的导通；未掺杂沟道，其具有小于5×1017原子/cm3的掺杂剂浓度，所述未掺杂沟道位于所述漏极和所述源极之间并且位于所述栅极的下方；以及屏蔽区域，其布置在所述掺杂阱的上方并且与所述掺杂阱接触，所述屏蔽区域布置在所述栅极的下方大于或等于Lg/3的所述栅极下方深度处以设定耗尽深度，所述屏蔽区域具有大于所述未掺杂沟道的掺杂剂浓度的十倍的掺杂剂浓度。