[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统有效
| 申请号： | 201180019311.7 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102844874B8 | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 植田尚之;中村有希;曾根雄司;安部由希子 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示 元件 图像 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：栅极，向其施加栅电压；源极和漏极，用于响应于所述栅电压获取电流；有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层由n型氧化物半导体形成；以及栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供，其中，所述n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，所述n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分；所述n型氧化物半导体由n型掺杂立方晶化合物形成，所述n型掺杂立方晶化合物通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得；所述n型氧化物半导体由A2DO4代表的尖晶石化合物形成，其中，A是包括Mg2+、Zn2+和Cd2+的一个或多个二价阳离子，并且D是包括Ti4+和Sn4+的一个或多个四价阳离子，并且其中，由所述尖晶石化合物形成的所述n型掺杂化合物可以通过引入包括Al3+、Ga3+、In3+、Ge4+、Sn4+、Ti4+、Zr4+、Hf4+、V5+、Nb5+、Ta5+、Sb5+、Mo6+和W6+的一个或多个类型的阳离子来获得。
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