[发明专利]用于通过激光能量照射半导体材料表面的方法及装置有效
申请号: | 201180019273.5 | 申请日: | 2011-02-21 |
公开(公告)号: | CN102844144A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 埃尔韦·贝斯奥塞勒;布鲁诺·戈达德;西里尔·迪唐 | 申请(专利权)人: | 爱克西可法国公司 |
主分类号: | B23K26/06 | 分类号: | B23K26/06;H01L21/324;G02B27/09 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 苗源;王漪 |
地址: | 法国热*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种用于对半导体材料进行照射的装置,该装置包括:一个激光器,该激光器产生一个主激光束;一个光学系统;以及一种用于为该主激光束确定形状的装置,该确定形状的装置包括多个孔径,这些孔径用于将该主激光束的形状确定为多个次级激光束;其特征在于,这些单独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的一个公共区域的形状和/或大小,并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。另外,本发明涉及此类装置在制造半导体器件中的用途。 | ||
搜索关键词: | 用于 通过 激光 能量 照射 半导体材料 表面 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种用于对半导体材料进行照射的装置,该照射装置包括:一个激光器,该激光器产生一个主激光束;一个光学系统;以及一种用于为该主激光束确定形状的装置,该确定形状的装置包括多个孔径,这些孔径用于将该主激光束的形状确定成多个次级激光束;其特征在于这些单独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的一个公共区域的形状和/或大小,并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。
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