[发明专利]用于通过激光能量照射半导体材料表面的方法及装置

权利要求书

1.一种用于对半导体材料进行照射的装置，该照射装置包括：

一个激光器，该激光器产生一个主激光束；

一个光学系统；

以及一种用于为该主激光束确定形状的装置，该确定形状的装置包括多个孔径，这些孔径用于将该主激光束的形状确定成多个次级激光束；

其特征在于这些单独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的一个公共区域的形状和/或大小，并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。

2.根据权利要求1所述的装置，其中这些孔径的形状和大小是使得这些次级激光束的光点形状和光点大小与所述有待照射的区域的形状和大小相匹配。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中该光学系统包括一个微透镜阵列（ML2）以及一个球面透镜，其中这些微透镜中的每一个对应于该多个孔径之一。

4.根据权利要求3所述的装置，其中该光学系统另外还包括一个第二微透镜阵列（ML1），其中这些微透镜中的每一个对应于该多个孔径之一。

5.根据权利要求1至4所述的装置，其中该激光器包括一个输出反射镜，并且其中该多个孔径被定位在该输出反射镜的内表面上。

6.根据权利要求5所述的装置，其中该多个孔径包括一个部分反射性涂层，该部分反射性涂层具有多个较高透射率区域，这些较高透射率区域被一个较低透射率区域所围绕。

7.根据以上权利要求中任一项所述的装置，其中该多个孔径是一个MxN孔径阵列。

8.根据以上权利要求中任一项所述的装置，其中这些孔径中的至少一个显示了一种图案。

9.根据以上权利要求中任一项所述的装置，其中该激光器是一个准分子激光器，该准分子激光器被适配成用于产生一个投射的激光束，该投射的激光束具有的能量密度在0.5J/cm²到10J/cm²之间。

10.根据以上权利要求中任一项所述的装置，其中该有待照射的区域对应于至少一个完整的管芯。

11.根据以上权利要求中任一项所述的装置，进一步包括用于使该次级激光束光点在XYZ方向上与该有待照射的区域对准的装置。

12.根据以上权利要求中任一项所述的装置在制造半导体器件中的用途。