[发明专利]用于硅蚀刻的无机快速交变处理

摘要

提供了一种在等离子体处理室中将特征蚀刻到位于掩膜之下的硅衬底中的方法。通过所述掩膜蚀刻硅衬底，其包含多个循环，其中每个循环包含侧壁沉积阶段和蚀刻阶段。该侧壁沉积阶段包括：向该等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体以及氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流；在该等离子体处理室中由该侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向该等离子体处理室提供该侧壁沉积气体流。该蚀刻阶段包括：提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在该等离子体处理室由该蚀刻气体形成等离子体；以及停止提供蚀刻气体流。

主权项

一种用于在等离子体处理室中将特征蚀刻至位于掩膜下的硅衬底中的方法，其包括：通过所述掩膜蚀刻所述硅衬底，其包括多个循环，其中每个循环包括：侧壁无机物沉积阶段，其包括：向所述等离子体处理室中提供包括含硅化合物气体和氧气、氮气或者NOx中的至少一种的侧壁沉积阶段气体流，其中x=1，2；在所述等离子体处理室中由所述侧壁沉积阶段气体形成等离子体；以及停止向所述等离子体处理室中提供所述侧壁沉积气体流；和蚀刻阶段，其包括：向所述等离子体处理室中提供包含卤素成分的蚀刻气体流；在所述等离子体处理室中由所述蚀刻气体形成等离子体；以及停止向所述等离子体处理室中提供所述蚀刻气体流。