[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 201180010394.3 | 申请日： | 2011-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102762762A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 饭岛荣一;池田裕人;矶佳树 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;H01J37/06;H01J37/065;H01J37/10;H01J37/147 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;孟桂超 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子束发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(蒸镀装置)(1)具有真空蒸镀室(50)、电子枪(20)和电子束聚集机构(150)。所述真空蒸镀室(50)中，设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为蒸镀膜被蒸镀的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空蒸镀室邻接设置，并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子束。所述电子束聚集机构(150)设置于所述真空蒸镀室(50)内，对从电子枪(50)射出的所述电子束进行聚集。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种真空处理装置，包括：处理室，设置有处理对象物，且能够维持真空气氛；电子枪，与所述处理室邻接设置，射出对所述处理对象物进行加热的电子束；电子束聚集机构，设置于所述真空处理室内，对从所述电子枪射出的所述电子束进行聚集。
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