[发明专利]利用改进型离子注入法制造的半导体结构无效
| 申请号： | 201180010376.5 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102782833A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | S·切瑞克德简;藤本优子;R·O·马斯克梅耶;松本武 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于制造半导体结构的方法和设备包括：对半导体晶片的注入表面进行离子注入处理，在表面中形成剥落层，其中离子注入处理包括在半导体晶片的注入表面中同时注入两种不同的离子。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 改进型 离子 注入 法制 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，该方法包括：对半导体晶片的注入表面进行离子注入处理，在表面中形成剥落层，其中离子注入处理包括在半导体晶片的注入表面中同时注入两种不同的离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
