[发明专利]薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201180009201.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103229301B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 山田达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 段承恩,徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的薄膜晶体管（10）具备基板（1）；栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘层（3），其形成于栅电极（2）上；沟道层（4），其形成于栅电极（2）上方的栅极绝缘层（3）上；源电极（9S）以及漏电极（9D），其形成于沟道层（4）的上方；阻挡层（8），其形成于沟道层（4）与源电极（9S）之间以及沟道层（4）与漏电极（9D）之间。源电极（9S）以及漏电极（9D）由包含铜的金属构成，阻挡层（8）是含有氮和钼的层，其密度为7.5~10.5（g/cm3）。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，具备：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅极绝缘层，其形成于所述栅电极上；半导体层，其形成于所述栅电极上方的所述栅极绝缘层上；源电极以及漏电极，其形成于所述半导体层的上方；以及阻挡层，其形成于所述半导体层与所述源电极之间以及所述半导体层与所述漏电极之间，所述源电极以及漏电极由包含铜的金属构成，所述阻挡层是含有氮和钼的层，该层是具有Mo2N晶粒及在Mo2N晶粒界或晶粒内的缺陷和/或空隙中填充的过剩氮的构造，其密度大于7.5g/cm3且小于10.5g/cm3。
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