[发明专利]光电转换装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180006516.1 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102725855A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 桥本由佳理 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少在光电转换层产生的裂纹而可靠性高的光电转换装置。光电转换装置包括层叠基板、设置于该基板上且相互空开间隙配置的一对电极、设置于所述间隙内及所述一对电极上的光电转换层而成的层叠体，所述一对电极的各个电极具有被沿着所述间隙交替配置的、沿所述间隙的直线状部及从该直线状部朝向所述间隙突出且前端面为曲面状的第一突出部。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，包括层叠体，所述层叠体通过层叠基板、设置于该基板上且相互空开间隙配置的一对电极、设置于所述间隙内及所述一对电极上的光电转换层而成，所述一对电极的各个电极具有被沿着所述间隙交替配置的、沿所述间隙的直线状部及从该直线状部朝向所述间隙突出且前端面为曲面状的第一突出部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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